188金宝青年教---师陈元正和孙柏与加拿大滑铁卢大学的Y. Norman Zhou教授，英国剑桥大学Simon A.T. Redfern教授等合作，在纳米材料与器件领域取得了重要进展，以第一作者和通讯作者身份在国际顶尖杂志Nano Letters（影响因子IF=12.279）发表论文。该项成果得到了国家自然科学基金委、中央高校科技创新项目和中央高校GF基金项目的大力支持。

忆阻器也称记忆电阻，被认为是除电阻器、电容器及电感元件之外的第四种基本元件。其独特之处在于在关闭电源后，仍然能够“记住”先前从其中通过的电荷量，几组忆阻器在一起就具有与晶体管相同的功能。借助忆阻器，手机可以数周甚至更久的时间都不用充电，电脑将能够实现瞬间开机，与目前的闪存相比，忆阻器存取速度更快、耗能更少、体积更小。

尽管目前许多研究都致力于忆阻器的理论研究，但是对忆阻器中非过零的电流-电压（I-V）滞回行为的理解仍然不完整。在该的研究中，我们提出了一个电容耦合忆阻的物理模型，该模型解释了非过零I-V滞回行为是如何源于电容耦合忆阻效应的。我们的模型提出了八种类型的非过零的I-V行为，它非常完美的解释了实验中观察到的所有非过零的I-V曲线。此外，还发现了从非过零I-V滞回曲线到理想过零I-V滞回曲线的可逆转换。总之，我们的研究结果提供了重要的物理模型，它可以用于阐明电容耦合忆阻行为的非过零I-V磁滞回线的起源，为制备电容耦合忆阻的多功能电子器件奠定了基础。

该研究成果在线发表在Nano Letters., 英文题目：A Unified Capacitive-Coupled Memristive Model for the Non-Pinched Current–Voltage Hysteresis Loop.

DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b02683

网址：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b02683

发表日期(Web): 2019-8-21